SJ 50033.104-1996 半导体分立器件3DK002型功率开关晶体管详细规范
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ID： |
44074782BC864661A48590867921B4AA |
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文件大小(MB)： |
0.65 |
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11 |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/104-96,半导体分立器件,3DK002型功率开关晶体管,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type,3DK002 power switching transistor,1996丒08丒30发布1997-0 b01 实施,中华人民共和国电子工业部 批准,ww. bzfxw. com下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DK002型功率开关晶体管,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type,3DK002 power switching transistor,SJ 50033/104-96,范,1.1 主题内容,本规范规定了 3DK002型功率开关晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1.3的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超特,军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587 - 94,GB 7581-87,GJB 33 - 85,GJB 128-86,双极型晶体管,半导体分立器件外形尺寸,半导体分立器件总规范,半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐,引出端表面应为锡层或镇层,中华人民共和电子工业部1996-08-30发布1997-01-01 实施,1,SJ 50033/104-96,3.2.2 器件的结构,采用外延平面结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GB 7581的B2 - O1B型（见图1）,mm,尺ヤ号,符葬7,B2-01B,min nam max,A 9.8,1.52,如0.9 1.1,15.0,d 3.0*,F 3.0,L 8.5 10.5,Li 1.5,阳4.0 4.2,Q 22.8 23.2,段9.5,4.3,S 13.1,5 31.4,Ui 19.0,初,1基极,2发射极,集电极接外壳,图1外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,2,SJ 50033/104-96,3.3.2主要电特性（Ta = 25じ）,特,性,型,号,3DK002C,3DK002D,3DK002B,んFE1,VfiEaat Eon R (th)f ** c,Vce = 3V,Ic- 1A,1 c = 1A,IB = 0- 1A,V,I Bl,Iq ~ 1A,=-Ibz-O.IA,MS,VCE = 10V,IE= 1A,v/w,最小值最大值最大值最大值,30 0.5 1.4 0.5 1.5 , 0.5 5,3.4电测试要求,电测试应符合GB 458?及本规范的规定,3.5标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范,表1极限值的器件应予剔除,(见GJB33的表2),测试或试验,3.热冲击,（温度循环）,7 .中间电参数测试,8 .功率老炼,9 .最后测试,质ヨ:一致性检验,温度:-55 ~ 150匕,次数:20,功率老炼条件如下:,与二 162.5± 12.5匕,Vce=15V,Pe>15W,按本规范表1的A2分组,△Icboi4初始值的100%或50g,取较大者,△んFEI〈初始值的±20%,筛选,1〇〇和れFEI,质量一致性检验应按GJB 33的规定,4.4,3,SJ 50033/104-96,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5检验方法,检验方法应按本规范相应的表和下列规定进行,4.5.1 脉冲测试,脉冲测试应按GJB 128的3.3.2.1的规定,表1 A组检验,检验或试验,GB 4587,LTPD 符号,极限值,单位,方 法条 件最小最大,A1分组,外观及机械检验GJB 128,2071,5,A!分组,集电极ー发射极,击穿电压,3DK002B,3DK002C,3DK002D,发射极一基极,击穿电压,集电极一基极,截止电流,集电极ー发射极,本规范附录A,2.9.2.2,2.1,2.14,2.3,2.4,2.8,发射极一基极开路,Ic ~ 2mA,集电极一基极开路,/e = 1 mA,发射极一基极开路,%B= ^CBO,发射极一基极开路,VCE = 0.5 Vceo,= 1A,Ib — 0.1A,脉冲法（见4.5.1）,1A,レ=。.1A,%=3V,— 1A,脉冲法（见4.5.1）,5,^(BR)CEO,V(BR)EBO,CEO,VcEsat,^BEsat,九FEI,60,80,100,5,30,0.1,0.5,0.5,1.4,V,V,V,V,mA,mA,V,V,1”上申,流,集电极ー发射极,饱和电压,基极ー发射极,饱和电压,正向电流传输比……
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